HD22010-2模塊采用自然冷卻方式，因此在設計模塊安裝時，需要進行模塊的散熱設計，即在安排模塊位置時，應該充分考慮模塊發(fā)熱對環(huán)境的影響，如監(jiān)控模塊、配電監(jiān)控，特別是其他一些測量電路的影響不容忽視，設計時應避免將直流采樣盒、霍爾傳感器、配電監(jiān)控盒等部件安置在模塊附近。
模塊層次之間應留有15～20cm的散熱風道，同時能夠有效導熱，保持空氣流通。
技術規(guī)范：
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類別 |
參數(shù)名稱 |
HD22010-3 |
HD22020-3 |
HD11020-3 |
HD11040-3 |
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輸入 特性 |
輸入電壓 |
323V～475V（三相三線制） |
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輸入電流 |
≤10A |
≤15A |
≤10A |
≤15A |
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交流輸入頻率 |
45Hz～65Hz |
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效率 |
≥92％ |
≥93％ |
≥92％ |
≥93％ |
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功率因素 |
0.94 |
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輸出 特性 |
輸出電壓范圍 |
176V～320V |
88～160V |
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額定輸出電流 |
10A |
20A |
20A |
40A |
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輸出電流 |
11A |
21A |
22A |
42A |
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軟啟動時間 |
3～8秒 |
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輸出恒流范圍 |
10％～110％ |
10％～100％ |
10％～110％ |
10％～100％ |
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穩(wěn)流精度（20％限流） |
≤±0.5％ |
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紋波系數(shù) |
≤0.1％ |
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穩(wěn)壓精度 |
≤±0.5％ |
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均流不平衡度 |
≤±5％，（典型值3％，50％～100％額定負載） |
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音響噪音 |
<55dB |
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保護 特性 |
輸出短路回縮 |
回縮電流≤40％額定電流，可自恢復 |
回縮電流≤40％額定電流，可自恢復 |
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輸出過壓保護 |
325±5Vdc |
165±5Vdc |
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輸出欠壓保護 |
198±1Vdc |
99±1Vdc |
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輸入過壓 |
保護點 |
485±10Vac |
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恢復點 |
460±15Vac |
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輸入欠壓 |
保護點 |
313±10Vac |
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恢復點 |
335±10Vac |
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缺相保護 |
限功率輸出5A/260V |
限功率輸出10A/260V |
限功率輸出10A/130V |
限功率輸出20A/130V |
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過溫 |
保護點 |
80℃ |
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恢復點 |
60℃ |
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風扇溫度控制 |
溫度和電流聯(lián)合控制風扇轉動 |
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安規(guī) |
絕緣電阻 |
試驗電壓1000Vdc，輸入端、輸出端對外殼之間以及輸入對輸出之間的絕緣電阻>10MΩ |
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絕緣強度 |
輸入端、輸出端短接后，在輸入/輸出端與外殼之間施加50Hz、有效值為2000V的交流電壓1分鐘，無擊穿或飛弧現(xiàn)象 |
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EMC |
靜電放電抗擾性要求 |
GB/T 17626.2-1998表2 Level 3 |
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振蕩波抗擾性要求 |
GB/T 17626.12-1998表2 Level 3 |
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傳導輻射干擾 |
EN 55022 Class A |
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快速瞬變電脈沖群抗擾性 |
GB/T17626.4-1998 Level 3 |
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浪涌抗擾性要求 |
GB/T17626.5-1998 Level 3 |
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由射頻場感應引起的傳導騷擾抗擾性要求 |
GB/T17626.5-1998 Level 3 |
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工頻磁場抗擾性要求 |
GB/T17626.8-1998 Level 4 |
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阻尼振蕩磁場抗擾度 |
GB/T17626.10-1998 Level 4 |
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射頻電磁場輻射抗擾度 |
GB/T17626.3-1998 Level 3 |
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電壓暫降、短時中斷和電壓漸變抗擾性要求 |
IEC61000-4-11 95％ 0.5 Period >30％ 25 Period >90％ 250 Period |
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環(huán)境 參數(shù) |
工作溫度 |
－10℃～40℃ |
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儲存溫度 |
－25℃～55℃ |
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相對濕度 |
≤95％ |
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大氣壓力 |
70～106kPa |
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機械 參數(shù) |
尺寸 |
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