聚乙烯絕緣聚乙烯護(hù)套屏蔽雙絞軟電纜
技術(shù)規(guī)范書(shū)
一﹑保靖MSLYFVZ-75-9煤礦用漏泄同軸電纜產(chǎn)品用途及特點(diǎn)
本產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)傳輸場(chǎng)合。本產(chǎn)品為非阻燃類(lèi)產(chǎn)品。
二﹑執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：Q/TY1012-2008
三、保靖MSLYFVZ-75-9煤礦用漏泄同軸電纜使用特性
1.電纜長(zhǎng)期使用溫度：-40～70℃
2.z低環(huán)境溫度：固定敷設(shè)-40℃非固定敷設(shè)-15℃。
3.電纜敷設(shè)溫度： 不低于0℃
4.RYYSP型電纜彎曲半徑應(yīng)不小于電纜直徑的10倍。
四、保靖MSLYFVZ-75-9煤礦用漏泄同軸電纜型號(hào)、名稱(chēng)及用途
型號(hào)：RVSP
名稱(chēng)：聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護(hù)套屏蔽雙絞軟電纜
額定電壓:300/500v
用途：用于商場(chǎng)隧道等，使用移動(dòng)或固定敷設(shè)
五、產(chǎn)品主要技術(shù)指標(biāo)
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項(xiàng)目 |
單位 |
指標(biāo)1.0 mm2 |
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20℃時(shí)導(dǎo)體直流電阻不大于 |
Ω/km |
19.5 |
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電纜工作電容不大于 |
uf/km |
0.06 |
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耐交流工頻電壓 |
KV/min |
1.5KV/5min |
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電纜電感不大于 |
uH/km |
800 |
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遠(yuǎn)端串音衰減 |
dB/km |
70 |
六、電纜規(guī)格
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規(guī)格 芯數(shù)×截面積 mm2 |
導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 根數(shù)/直徑 |
絕緣標(biāo)稱(chēng)厚度 mm |
導(dǎo)體絕緣外徑 mm |
電纜參考外徑 mm |
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2×1.0 |
32/0.2 |
0.7 |
2.68 |
8.06 |
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4×1.0 |
32/0.2 |
0.7 |
2.68 |
13.32 |
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2×0.5 |
16/0.2 |
0.5 |
1.94 |
4.14 |
七、保靖MSLYFVZ-75-9煤礦用漏泄同軸電纜型號(hào)組成及代表意義
軟芯導(dǎo)體結(jié)構(gòu)----------------------------------------------------------------R
銅質(zhì)線芯----------------------------------------------------------------------省略
聚氯乙烯絕緣-------------------------------------------------------------------V
雙絞型-------------------------------------------------------------------------S
銅絲編織屏蔽----------------------------------------------------------------P
聚氯乙烯護(hù)套-------------------------------------------------------------------V位為符號(hào)位，0：正數(shù)；1：負(fù)數(shù)。取值范圍為：[-2147483648,2147483647]。浮點(diǎn)數(shù)（REAL）標(biāo)準(zhǔn)的浮點(diǎn)數(shù)格式如所示，占32位。位為符號(hào)位，0：正數(shù)；1：負(fù)數(shù)。基本數(shù)據(jù)類(lèi)型：浮點(diǎn)數(shù)（REAL）浮點(diǎn)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)是用32位的空間可以表示非常大和非常小的數(shù)。plc在處理模擬量時(shí)，其輸入和輸出大多是整數(shù)，用浮點(diǎn)數(shù)來(lái)處理這些數(shù)據(jù)時(shí)要進(jìn)行整數(shù)和浮點(diǎn)數(shù)之間的相互轉(zhuǎn)換。所示，現(xiàn)場(chǎng)采集的數(shù)據(jù)為16位的整型數(shù)（"#IN"），PLC在做控制前，要先將其轉(zhuǎn)換為浮點(diǎn)數(shù)（"#DItoR"）。MOS管型防反接保護(hù)電路利用了MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在MOSFETRds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級(jí)，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管為PMOS場(chǎng)效應(yīng)管或NMOS場(chǎng)效應(yīng)管。若為PMOS，其柵極和源極分別連接被保護(hù)電路的接地端和電源端，其漏極連接被保護(hù)電路中PMOS元件的襯底。