回收進(jìn)口集成芯片 回收SMT貼片電子料
發(fā)布者：temikeji 發(fā)布時(shí)間：2021-06-23 10:47:56
回收進(jìn)口集成芯片 回收SMT貼片電子料 DDR4較以往不同的是改采VDDQ的終端電阻設(shè)計(jì)，V- 目前計(jì)劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200Mbps，比目前高速的DDR3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達(dá)4，266Mbps；Bank數(shù)也大幅增加到16個(gè)（x4/x8）或8個(gè)（x16/32），這使得采x8設(shè)計(jì)的單一DDR4存儲(chǔ)器模組，容量就可達(dá)到16GB容量。
而DDR4運(yùn)作電壓僅1.2V，比DDR3的1.5V低了至少20 ，也比DDR3L的1.35V還低，更比目前x86 Ultrabook/Tablet使用的低功耗LP-DDR3的1.25V還要低，再加上DDR4一次支援 省電技術(shù)（Deep Power Down），進(jìn)入休眠模式時(shí)無須更新存儲(chǔ)器，或僅直接更新DIMM上的單一存儲(chǔ)器顆粒，減少35 ~50 的待機(jī)功耗。
將來邁入20 制程時(shí)，會(huì)導(dǎo)入3D立體堆疊加矽鉆孔（3D Stacks+TSV）封裝技術(shù)，以及針對(duì)繪圖芯片、移動(dòng)設(shè)備提出低腳位數(shù)的Wide I/O，來提升DRAM存儲(chǔ)器單位容量與頻寬。
英特爾將分別把DDR4規(guī)格導(dǎo)入伺服器／工作站平臺(tái)，以及桌上型電腦平臺(tái)（High-End DeskTop；HEDT）。前者是伺服器處理器XEON E5-2600處理器（代號(hào)Haswell-EP），搭配的DDR4存儲(chǔ)器為2，133Mbps（DDR4-2133）；后者則是預(yù)定 三季推出的8核心Intel Core i7 Extreme Edition處理器，同樣搭配DDR4-2133存儲(chǔ)器，以及支援14組USB 3.0、10組SATA6Gbps的X99芯片組，成為2014 4季至2015年上半年英特爾強(qiáng)悍的桌上型電腦平臺(tái)組合。
而超微（AMD）下一代APU（代號(hào)Carrizo）已延遲至2015年登場(chǎng)，但其存儲(chǔ)器支援性仍停留在DDR3。至于移動(dòng)設(shè)備部份，安謀（ARM）針對(duì)伺服器市場(chǎng)打造的64位元Cortex-A57處理器核心，已預(yù)留對(duì)DDR4存儲(chǔ)器支援，而 三方IP供應(yīng)商也提供了相關(guān)的DDR4 PHY IP。
三星于2013年底量產(chǎn)20 制程的4GB存儲(chǔ)器顆粒，將32GB的存儲(chǔ)器推向伺服器市場(chǎng)；2014年1月推出移動(dòng)設(shè)備用的低功耗DDR4（LP-DDR4）。SK海力士在2014年4月借助矽鉆孔（TSV）技術(shù)，開發(fā)出單一DDR4芯片外觀、容量達(dá)128GB。市場(chǎng)預(yù)料DDR4將與DDR3（DDR3L、LP-DDR3）等共存一段時(shí)間，預(yù)計(jì)到2016年才會(huì)超越DDR3而成為市場(chǎng)主流。
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