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　　為什么說(shuō)絕大部分用電設(shè)備的損壞都與浪涌有關(guān)？

　　浪涌包括浪涌電壓和浪涌電流，即電壓或電流瞬間出現(xiàn)超出穩(wěn)定值的峰值。產(chǎn)生浪涌的主要原因有兩個(gè)：電力系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)瞬間和雷電產(chǎn)生瞬間。

　　對(duì)于處在雷電頻繁地區(qū)的項(xiàng)目，雷雨天氣是難熬的時(shí)候，即使不直接擊中，雷電通常能夠產(chǎn)生強(qiáng)大的電壓和脈沖電流，給設(shè)備帶來(lái)致命的沖擊，甚至造成性的破壞。

　　浪涌試驗(yàn)的目的便是測(cè)試電氣和電子設(shè)備在遭受浪涌時(shí)的性能狀況，不同的設(shè)備和測(cè)試部位，測(cè)試方式與角度不盡相同，

　　ESD的測(cè)試方法類(lèi)似FAB里面的GOI測(cè)試，pin之后先給他一個(gè)ESD電壓，持續(xù)一段時(shí)間后，然后再回來(lái)測(cè)試電性看看是否損壞，沒(méi)問(wèn)題再去加一個(gè)step的ESD電壓再持續(xù)一段時(shí)間，再測(cè)電性，如此反復(fù)直至擊穿，此時(shí)的擊穿電壓為ESD擊穿的臨界電壓(ESD failure threshold Voltage)。通常我們都是給電路打三次電壓(3 zaps)，為了降低測(cè)試周期，通常起始電壓用標(biāo)準(zhǔn)電壓的70 ESD threshold，每個(gè)step可以根據(jù)需要自己調(diào)整50V或者100V。

　　EMI測(cè)試主要包含什么內(nèi)容?

　　Radiated Emission -輻射擾測(cè)試

　　Conducted Emission-傳導(dǎo)擾測(cè)試

　　Harmonic-諧波電流擾測(cè)試

　　Flicker-電壓變化與閃爍測(cè)試

　　我們?nèi)绾闻袛郋MS試驗(yàn)結(jié)果的好壞呢？

　　對(duì)于 EMS（電磁敏感性）試驗(yàn)，其性能判斷依據(jù)可分為四個(gè)等級(jí)：

　　A 級(jí)：試驗(yàn)中性能指標(biāo)正常；

　　B 級(jí)：試驗(yàn)中性能暫時(shí)降低，功能不喪失，試驗(yàn)后能自行恢復(fù)；

　　C 級(jí)：功能允許喪失，但能自恢復(fù)，或操作者干預(yù)后能恢復(fù)；

　　R 級(jí)：除保護(hù)元件外，不允許出現(xiàn)因設(shè)備（元件）或軟件損壞或數(shù)據(jù)丟失而造成不能恢復(fù)的功能喪失或性能降低。