| CS50N20ANRMOSFETTO-3P(N)內(nèi)阻輸出功率陽(yáng)極電壓柵極電流 |
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華晶CS9N20 A4R ? ?Silicon N-Channel Power MOSFET 一般描述： CS9N20 A4R,硅N通道增強(qiáng)VDMOSFET，是通過(guò)高密度溝槽技術(shù)獲得的，它降低了導(dǎo)通損耗，提高了開(kāi)關(guān)性能和增強(qiáng)性能 雪崩能量。 該晶體管可用于各種功率開(kāi)關(guān)電路，用于系統(tǒng)小型化和更高的效率。 包裝形式為TO-252，符合RoHSsta 恩達(dá)德。 特點(diǎn)： 緊開(kāi)關(guān) ESD提高能力 低開(kāi)阻 低門電荷 低反向傳輸電容 100單脈沖雪崩能量測(cè)試 應(yīng)用： 適配器和充電器的電源開(kāi)關(guān)電路。
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