| PECVD開啟式真空管式爐 |
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價(jià)格：1 元(人民幣) | 產(chǎn)地：江蘇蘇州 |
| 最少起訂量：1臺(tái) | 發(fā)貨地：蘇州昆山開發(fā)區(qū)六時(shí)涇路28號(hào) | |
| 上架時(shí)間：2018-04-17 09:29:17 | 瀏覽量：668 | |
蘇州諾曼比爾材料科技有限公司
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| 經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工 | 公司類型：私營有限責(zé)任公司 | |
| 所屬行業(yè)：鑄造設(shè)備 | 主要客戶：科研單位、大專院校、新材料、新能源、物理、化學(xué)、冶金、玻璃、鋰能等領(lǐng)域 | |
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PECVD
設(shè)備介紹： 本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。 主要特點(diǎn)： 1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。 2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。 3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。 4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。 5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
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