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       FUJI富士電機(jī)作為IGBT硅片生產(chǎn)領(lǐng)先廠家,最早將IGBT模塊引入中國。經(jīng)過十幾年的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體器件已在國內(nèi)UPS、電鍍電源、變頻器領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，已成為經(jīng)典使用器件。北京一祥聚輝科貿(mào)有限公司 主要經(jīng)營產(chǎn)品為國際知名品牌的元器件產(chǎn)品，目前經(jīng)銷產(chǎn)品：富士IGBT模塊、LEM傳感器、英飛凌IGBT，西門康IGBT，bussmann熔斷器、LS產(chǎn)電產(chǎn)品等等，并根據(jù)客戶的需求不斷完善我們的產(chǎn)品線。

      IGBT作為能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷�，電力電子裝置“CPU”，在全球能源領(lǐng)域大變革浪潮中的地位越來越重要。但目前國內(nèi)IGBT市場基本由英飛凌、富士、三菱等國外公司壟斷。從2017年下半年IGBT缺貨的苗頭就已經(jīng)顯現(xiàn)出來了，IGBT各大品牌的供應(yīng)商紛紛向采購商和客戶發(fā)出通知并要求其做好需求計劃，以保證后期供貨。目前富士IGBT模塊正在量產(chǎn)當(dāng)中，符合歐盟ROhs指令，適用于汽車電子。

      IGBT 模塊的特性：下面以 6MBI100VB-120-50 (6in1，1200V/100A，第 6 代 IGBT 模塊) 為例，對規(guī)格書中記載的關(guān)于 IGBT 的種種特性進(jìn)行說明。

靜態(tài)特性：以 V 系列的 IGBT：6MBI100VB-120-50 為例， VCE-IC 特性(一般稱為輸出特性)的 VGE 依存性如圖 2-1、 圖 2-2 所示。因為該特性表示 IGBT 在導(dǎo)通狀 態(tài)下集電極-發(fā)射極電壓(VCE)和集電極電流(IC)的 關(guān)系，所以形成了在導(dǎo)通狀態(tài)下IGBT中發(fā)生的損耗。 然而，雖然 VCE越低，產(chǎn)生的損耗就越小，但是由于 該特性會隨著結(jié)溫(Tj)和 VGE的變化而變化，因此， 請在充分考慮該特性的前提下進(jìn)行裝置的設(shè)計。 一般情況下，推薦在 VGE＝15V 時，裝置的最大 輸出電流小于等于元件的標(biāo)稱額定電流值的情況下 使用。 另外,圖2-3是將圖2-1中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化成VCE‐VGE 特性的 IC依存性的曲線圖。可以從中看出 VCE(損耗) 急劇增加到極限時的 VGE的大體標(biāo)準(zhǔn)值。 

    富士IGBT模塊型號2MBI1400VXB-170P-54原裝有現(xiàn)貨,其他型號如2MBI1000VXB-170E-54   2MBI1400VXB-120P-54   2MBI450VN-170-50    2MBI600VN-170P-50    2MBI150VA-120-50   2MBI650VXA-170E-54    2MBI800XNE-120等也都有現(xiàn)貨。 我們通過多年的積累，已經(jīng)具備了豐富的市場推廣和銷售運(yùn)作經(jīng)驗，我們有技術(shù)服務(wù)支持提供給客戶售前售中和售后支持。
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