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innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G M3S0-4GSJDCPC
innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G M3S0-4GSJDCPC 價格：  元(人民幣) 產(chǎn)地：本地
最少起訂量：1片 發(fā)貨地：本地至全國
上架時間：2021-10-21 15:31:32 瀏覽量：468
北京齊昂電子科技有限公司  
經(jīng)營模式：代理商 公司類型：私營獨資企業(yè)
所屬行業(yè)：嵌入式設(shè)備 主要客戶：電力，能源，智能交通， 通信，網(wǎng)安
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聯(lián)系方式

聯(lián)系人:苗經(jīng)理 (先生) 手機:13146512271
電話: 傳真:
郵箱:546288802@qq.com 地址:北京昌平區(qū)西三旗建材城東路新龍大廈B座1022室

詳細介紹

嵌入式系統(tǒng)系列

我們的嵌入式系統(tǒng)符合JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度，以優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)的表現(xiàn)。
產(chǎn)品特色
  • Small Outline Dual In-line Memory Module
  • Fully Tested and Optimized for Stability and Performance
  • Uses Original IC to Meet Strict Industrial Standards
  • JEDEC Standard 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)
  • Operating Environment : 0°C ~ 85°C
  • RoHS Compliance
  • CE/FCC Certification

Overview:


DDR3 SODIMM memory (small outline) is a compact industrial standards memory module that fits neatly into any embedded, surveillance and automation setup. DDR3 SODIMM memory comply with all relevant JEDEC standards and are available in 1GB, 2GB, 4GB, and 8GB capacities and with data transfer rates of 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s, and 1866MT/s.



DDR3 SODIMM內(nèi)存（小外框）是一種緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存模塊，可巧妙地安裝在任何嵌入式、監(jiān)控和自動化設(shè)置中。DDR3 SODIMM內(nèi)存符合所有相關(guān)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，具有1GB、2GB、4GB和8GB容量，數(shù)據(jù)傳輸速率分別為1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。



規(guī)格：

Interface DDR3
Form Factor SODIMM
Data Rate 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Capacity 1GB, 2GB, 4GB, 8GB
Function Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number 204pin
Width 64Bits
Voltage 1.5V, 1.35V
PCB Height 1.18 Inches
Operating Temperature 0°C to 85°C

產(chǎn)品料號：


Density Component
Composition 		Part Number Rank Voltage Description
1GB 128Mx16 M3S0-1GSWFLQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
2GB 256Mx16 M3S0-2GSVFLQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
2GB 256Mx8 M3S0-2GSJCLQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 256Mx8 M3S0-4GSJDLQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 256Mx16 M3S0-4GSV0LQE 2Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 512Mx8 M3S0-4GSSCLQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
8GB 512Mx8 M3S0-8GSSDLQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 1866MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CQE
4GB 1600MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CPC
4GB 1333MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CN9
4GB 1866MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CQE
4GB 1600MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CPC
4GB 1333MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CN9
4GB 1866MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCQE
4GB 1600MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCPC
4GB 1333MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCN9
4GB 1066MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCM7
4GB 800MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCL6
4GB 1866MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCQE
4GB 1600MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCPC
4GB 1333MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCN9
4GB 1866MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCQE
4GB 1600MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCPC
4GB 1333MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCN9
4GB 1866MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCQE
4GB 1600MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCPC
4GB 1333MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCN9
4GB 1866MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLQE
4GB 1600MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLPC
4GB 1333MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLN9
4GB 1066MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLM7
4GB 800MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLL6
4GB 1866MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLQE
4GB 1600MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLPC
4GB 1333MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLN9
4GB 1866MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LQE
4GB 1600MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LPC
4GB 1333MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LN9
4GB 1866MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LQE
4GB 1600MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LPC
4GB 1333MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LN9
4GB 1866MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLQE
4GB 1600MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLPC
4GB 1333MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLN9
4GB 1866MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLQE
4GB 1600MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLPC
4GB 1333MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLN9



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