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                                                   進(jìn)相器功率因數(shù)搖擺不定的原因

      靜止式進(jìn)相器采用交－交變頻裝置，將50HZ的工頻電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榕c電動機轉(zhuǎn)子電流同頻的低頻電壓附回電機的轉(zhuǎn)子回路，并使該附加電壓滯后轉(zhuǎn)子電流90,達(dá)到電動機轉(zhuǎn)子側(cè)串接電容器的效果。這個附加電壓是由50HZ的基波組成。

      進(jìn)相器的主要組成部分是由12只可控硅的交－交變頻裝置和控制、觸發(fā)電路，如果某一只可控硅損壞不能正確導(dǎo)通，就會引起環(huán)流，進(jìn)相器內(nèi)的可控硅和銅排溫度會升高，對外反應(yīng)到表上，就會導(dǎo)致電流表和功率因數(shù)表搖擺不定，比不進(jìn)相時指針擺動大，這時就可以查一下可控硅有沒有擊穿的，觸發(fā)脈沖是否正常，可控硅壞了幾只就全部換掉，壓好散熱器片，換好后先把主控板打到試驗狀態(tài)，再試，如果一切正常，然后打到工作狀態(tài)，再按照開機順序，一步步把設(shè)備開起來，再投入進(jìn)相器，這時再觀察進(jìn)相器功率因數(shù)搖擺不定的現(xiàn)象是不是沒有了。

     進(jìn)相器等設(shè)備在運行過程中，會受到由交流供電電網(wǎng)進(jìn)入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。同時，設(shè)備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護的第一種方法就是可控硅兩端并接R-C阻容吸收回路，在可控硅陰陽極兩端直接進(jìn)行保護�？煽毓桕P(guān)斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復(fù)至零電流，此過程可在元件兩端產(chǎn)生達(dá)正常工作峰值電壓5-6倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。電阻R選無感電阻，通常取5-30Ω;電容C通常在0. 1-1μF,耐壓選元件耐壓的1. 1-1. 5倍。具體R、C取值可根據(jù)元件型號及工作情況調(diào)試決定。注意保證電阻R的功率，使之不會因發(fā)熱而損壞。加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制，如果dv/dt過大，由于可控硅結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用，使可控硅正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時引起可控硅誤導(dǎo)通。為了抑制dv/dt的作用，可以在可控硅兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。