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功率MOSFET 開關(guān)過程的電壓波形如圖3-9所示。開通時(shí)間ton分為延時(shí)時(shí)間td和上升時(shí)間t兩部分，與功率MOSFET 的開啟電壓UGs(th)和輸入電容Ci有關(guān)，并受信號源的上升時(shí)間和內(nèi)阻的影響。關(guān)斷時(shí)間toi可分為儲(chǔ)存時(shí)間t、和下降時(shí)間t兩部分，由功率MOSFET 源源間電容Cs和負(fù)載電阻決定。通常功率MOSFET 的開關(guān)時(shí)間為10~100ns,而雙極型器件的開關(guān)時(shí)間則以微秒計(jì)，甚至達(dá)到幾十微秒。

主要參數(shù)
通態(tài)電阻Ron通態(tài)電阻Ron是與輸出特性密切相關(guān)的參數(shù)，是指在確定的柵源電壓Ucs下，功率MOSFET 由可調(diào)電阻區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的集射極間的直流電阻。它是影響最大輸出功率的重要參數(shù)，在開關(guān)電路中決定了輸出電壓幅度和自身損耗大小。在相同的條件下，耐壓等級愈高的器件，其通態(tài)電阻愈大，且器件的通態(tài)壓降愈大。這也是功率MOSFETI 電壓難以提高的原因之一。