| IGBT模塊LGM400HF65S4T1A |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：上海 |
| 最少起訂量：1個(gè) | 發(fā)貨地：福建泉州市 | |
| 上架時(shí)間：2024-11-23 09:35:03 | 瀏覽量：2 | |
福建安溪燦宏電子科技有限公司
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| 經(jīng)營模式：經(jīng)銷商 | 公司類型：私營股份有限公司 | |
| 所屬行業(yè)：電力半導(dǎo)體器件 | 主要客戶：大陸，香港，臺灣，澳門 | |
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陸芯新一代Trench Field-Stop技術(shù)的650V 10A~200A 系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A 系列IGBT、1700V系列IGBT；通過設(shè)計(jì)和優(yōu)化器件的導(dǎo)通壓降Vcesat，開關(guān)損耗Eon和Eoff，短路能力Tsc，達(dá)到更高功率密度，更優(yōu)異性能，更強(qiáng)可靠性；完適應(yīng)于新能源車，電機(jī)驅(qū)動，高頻電源，感應(yīng)加熱等各類領(lǐng)域和行業(yè)需求。 特點(diǎn)和優(yōu)勢： 1.優(yōu)化耐壓終端環(huán)，實(shí)現(xiàn)IGBT高阻斷電壓，達(dá)到工業(yè)級和汽車級可靠性標(biāo)準(zhǔn)； 2.控制少子壽命，優(yōu)化飽和壓降和開關(guān)速度，實(shí)現(xiàn)安全工作區(qū)（SOA）和短路電流安全工作區(qū)SCSOA性能優(yōu)； 3.改善IGBT有源區(qū)元胞設(shè)計(jì)可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應(yīng)； 4.調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實(shí)現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。 LGM40HF120S2F2A LGM100HF120S2F1A LGM100HF120S2F1B LGM75HF120S2F2 LGM200HF120S4F1A LGM150HF120S4F2 LGM400HF65S4T1A LGM50FFB120C1T1H LGM40FFB120C1T1 LGM240TU120Q1F2 LGM450ML65Q2F2 LGM400HF65S4T1A LGM600HF65S4T1 LGM150FFB120C2T1M LGM200SG65S1T1 LGM10PJ120E1T3A LGM15PJ120E1T3A LGM50HF120S2F2A      |
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